最重要的是绕过了1450们提前准备好的所有文案。

目前的10个回答里已经至少有两个反对的回答了。

一个说“谣谣领先，且听龙赢”，一个说“绕过了光刻机需要脑子的缺点”。

文案之简略，充分说明了他们对于这条路线完全缺乏文案准备，只能为了嘲讽而嘲讽，留下空洞无物的回答。

实际上光刻厂的方案，也就是SSMB，本身就是光刻的四条技术路线之一，西方提出来也不是一天两天了。

因为这个方案需要一个国家的工业有极高的规模和产业链集中度，所以西方国家才没有选用。

这个方案为什么只有中国能搞，是很多人需要先想明白的。

它的思路很像之前云计算时的一些思路：

不是每个人家里放一台带4090的电脑，而是从一个巨大的机房里引出线来，大家各自接上自己的键盘鼠标显示器来玩游戏。

这个集中的巨大机房，其实在设备发热、机房制冷散热等方面的要求，就比个人家里低得多了。

个人上水冷都压不住的CPU温度，在面积巨大、中央空调强力、不怕产生噪声的机房里，根本就是小菜一碟。（接触过机房的小伙伴应该会懂的）

光刻厂就是这样一个给自己松绑的玩意儿。

但是，

如果你需要100台光刻机，你建一个光刻厂没问题。

如果你只需要一台光刻机，那么你建了光刻厂，等于浪费99%的产能，你的芯片成本就下不去了。

同理，

如果你这100台光刻机产出来的芯片是卖给自己人的，自由贸易，那你造个光刻厂就没啥问题。

如果你用芯片的客户是外国企业，三天两头利用芯片销售的事卡你脖子，你减产了成本就上去了，这时候就会形成买方市场，对面会把你的利润通通榨走。

但巧了，

世界上超过60%的芯片，现在是被中国企业买走的，

中国企业反而害怕芯片在国外生产，遇到点事儿就起火、乱涨价，搞成卖方市场。

这也是只有中国能搞光刻厂的另一个重要原因。

其他国家搞芯片，面对的全是外国客户，只有中国造芯片，是面对本国客户，是真正的自由贸易。

因此，芯片对我国而言，是一种附加价值巨大的东西。20块钱的芯片，不仅仅是这20块钱竞争力如何，还决定着一辆20万的车有没有市场竞争力。

这都是其他国家没有的特殊条件。

而其他国家从来没考虑过可以走这条路，

唱衰的文案也集中在光刻机有多难搞定上，

现在突然说光刻机不在必要路径上了，

除了慌就只能开空洞没有逻辑的嘲讽了。

另辟蹊径，在另外一个赛道上碾压！

所谓的光刻厂指的是SSMB-EUV。

SSMB翻译过来叫稳态微聚束。

现在花一些篇幅来讲SSMB。

这个事情得从杨振宁的学生赵午说起。

大家知道，杨振宁现在在清华养老。因此赵午与清华的关系密切，他本人也是清华与台湾清华的客座教授。

赵午，台湾中央研究院院士。

1974年在纽约大学石溪分校获得物理学博士学位，导师为杨振宁。

1974-1984，就职于美国SLAC国家实验室。

1984-1993，任超级超导对撞机（当年预算82亿美元）副总经理、加速器总体负责人。

1989-1993，任德克萨斯大学奥斯汀分校教授，1994-2019年，斯坦福大学教授。

现为清华大学客座教授。曾获加速器领域一系列最高奖项包括USPAS Achievement Prize, Wiederoe Prize, Robert Wilson Prize等。

上面讲到了对撞机，大家都知道，杨振宁与赵午都是反对花几百亿乃至几千亿搞对撞机。

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粒子对撞之前要对它们进行加速。

因此需要一个加速器，如何加速呢，就是在管道上加磁铁，磁场可以对粒子进行加速。

光就是一种电磁波，变化的电场能产生电磁波。

而带电粒子运动变化的时候，会产生光。这个是很早发现的。

在2010年的时候赵午提出了SSMB-EUV的概念。

不过当时没有人理他。

于是他不停讲他这个设想。

慢慢的他这个设想越来越多人接受了。

到了2018年，美国开始制裁华为后，他这个设想越来越多的人接受了。

于是他们很快行动起来。

上面是2021年发表的论文。

论文展示的实验，由清华大学的唐传祥与赵午发起，清华大学、亥姆霍兹柏林材料和能源中心以及德国联邦物理技术研究院（PTB）合作，在PTB的计量光源上完成。唐传祥研究组负责理论分析、物理设计及激光系统开发，并与合作单位进行实验。（中国当时没有条件搞 这个实验，于是经常有人开玩笑的说是蹭了德国的设备）

随后，清华SSMB研究组已向国家发改委提交“稳态微聚束极紫外光源研究装置”的项目建议书，申报“十四五”国家重大科技基础设施。

因为有验证机的实验，这个建议很快批准了。

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听过几次赵午老师的报告，而且网上有相关的视频。

总结起来，光刻厂即清华方案SSMB的优势如下：

一、提升功率的限制较小，据称更容易达到1000W以上，LPP-EUV光源功率目前约400W，但达到1000W也只是时间问题。

二、光束质量高：发散角小，对聚焦要求低；能散小（频谱窄），对过滤要求低。LPP-EUV是热辐射，聚焦和过滤需要复杂的光学系统，镜面数量很多。SSMB-EUV则无需太多镜面。镜面对13.5nm EUV的反射率仅有70%，镜面越多、损耗越大，有效功率越小。（注：用于光刻的EUV光源无论是LPP还是SSMB，波长目前只能是13.5nm，别的波长没有合适的材料制作反射镜，再往下是6nm的Blue-X。SSMB多条光束线只是供多台光刻机使用，短期内并不会同时提供多种波长。）综合考虑这两点，功率不是从400W变成1000W，而是从10W变成500W。

三、光学部分制造难度低、成本低：SSMB-EUV不仅所需的镜面数量少，而且镜面尺寸也小（因为光源发散角小，无需庞大的收集镜），还没有LPP-EUV的等离子体杂质污染镜面。也就是说，如果SSMB-EUV光源投入使用，不仅能解决光源问题，还能大大降低光学部分的难度。

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相对于ASML的LPP-EUV其劣势就是占地方。

比如需要周长超过48米（貌似也不大）甚至几百米的加速管道。

另外这个光刻厂的成本很划算。肯定不超过100亿rmb。它的投资没有大型对撞机那么多。

我理解“光刻厂“指的就是SSMB-EUV这条路线，那么答案很简单：解决了EUV光源问题。

ASML的EUV光源是LPP-EUV（激光等离子体）路线，简单来说就是通过一台功率大于20 kW的CO2气体激光器轰击液态锡形成等离子体, 从而产生 13.5 nm的EUV光。最新的先进制程，也基本都依赖于EUV光刻技术。

这条路线目前只有ASML掌握（ASML也是目前全球唯一能出货EUV光刻机的厂商），主要是EUV光的生成过程太过复杂。需要通过CO2激光轰击液态锡两次，并且需要对液态锡微粒的产生、时间间隔和对准等进行非常夸张的精度控制。而且，由于EUV光线经过任何透镜时都会极大衰退，为了让光源产生的极紫外光能够顺利进行光刻，还需要进行非常复杂的物镜（通常是多个反射镜）系统设计以及精度及其变态的镜面加工。

诚然，EUV光源是光刻机的一个难点，并且随着制程的持续推进，EUV光源的功率开始成为瓶颈。但且不论SSMB-EUV路线还没有进入验证，即使SSMB-EUV路线真的实现了稳定可控的EUV光源，光刻机也仍然有非常多的问题没有解决。

物镜系统的设计和加工自然是一方面，国内目前进展最快的应当是长光所，而且近几年国产光学的加工精度也有了长足的提高，但是否达到了光刻机的要求仍然存疑。

另外在运动控制系统上同样困难重重。光刻机作为全球半导体产业链分工的结晶，决不仅仅是ASML一家之功。EUV光刻机的光源来自美国Cymer（后来被ASML收购），物镜来自德国蔡司，而ASML自己作为整机厂，除了产品整合know-how外，最核心的就是运动控制系统了。

光刻机的结构里，光源相对固定，主要通过磁悬浮工件台的移动来实现光刻工艺。ASML的双工件台（两个工件台同时工作，一个光刻一个预对准，吞吐量翻倍）能够实现相对高速的情况下的纳米级控制精度，同样不是一个可以轻易达到的指标。

当然，国内半导体产业链过去几年高速发展，在光刻机的每个重要子系统环节都有进步，但即使如此SMEE的光刻机整机也仍然停留在SSA600系列（最高做到90nm工艺制程），最高工艺节点到28nm的SSA80系列最快也只有到年底才能实现出货。

所以说，SSMB的确是EUV光源的一种潜在路径，而且相比现行LPP方案，在功率以及向更前沿的制程演进上或许更有优势。

但还是开头那句话，即使解决了光源问题，国产光刻机也仍然有很长的路要走。

甚至退一万步说，即使光刻机问题解决了，也不意味着我们就真的完全自主可控。不需要那么先进制程的YMTC，也仍然被其他关键设备卡了脖子。

道阻且长，任重道远。