我理解“光刻厂“指的就是SSMB-EUV这条路线，那么答案很简单：解决了EUV光源问题。
ASML的EUV光源是LPP-EUV（激光等离子体）路线，简单来说就是通过一台功率大于20 kW的CO2气体激光器轰击液态锡形成等离子体, 从而产生 13.5 nm的EUV光。最新的先进制程，也基本都依赖于EUV光刻技术。
这条路线目前只有ASML掌握（ASML也是目前全球唯一能出货EUV光刻机的厂商），主要是EUV光的生成过程太过复杂。需要通过CO2激光轰击液态锡两次，并且需要对液态锡微粒的产生、时间间隔和对准等进行非常夸张的精度控制。而且，由于EUV光线经过任何透镜时都会极大衰退，为了让光源产生的极紫外光能够顺利进行光刻，还需要进行非常复杂的物镜（通常是多个反射镜）系统设计以及精度及其变态的镜面加工。
诚然，EUV光源是光刻机的一个难点，并且随着制程的持续推进，EUV光源的功率开始成为瓶颈。但且不论SSMB-EUV路线还没有进入验证，即使SSMB-EUV路线真的实现了稳定可控的EUV光源，光刻机也仍然有非常多的问题没有解决。
物镜系统的设计和加工自然是一方面，国内目前进展最快的应当是长光所，而且近几年国产光学的加工精度也有了长足的提高，但是否达到了光刻机的要求仍然存疑。
另外在运动控制系统上同样困难重重。光刻机作为全球半导体产业链分工的结晶，决不仅仅是ASML一家之功。EUV光刻机的光源来自美国Cymer（后来被ASML收购），物镜来自德国蔡司，而ASML自己作为整机厂，除了产品整合know-how外，最核心的就是运动控制系统了。
光刻机的结构里，光源相对固定，主要通过磁悬浮工件台的移动来实现光刻工艺。ASML的双工件台（两个工件台同时工作，一个光刻一个预对准，吞吐量翻倍）能够实现相对高速的情况下的纳米级控制精度，同样不是一个可以轻易达到的指标。
当然，国内半导体产业链过去几年高速发展，在光刻机的每个重要子系统环节都有进步，但即使如此SMEE的光刻机整机也仍然停留在SSA600系列（最高做到90nm工艺制程），最高工艺节点到28nm的SSA80系列最快也只有到年底才能实现出货。
所以说，SSMB的确是EUV光源的一种潜在路径，而且相比现行LPP方案，在功率以及向更前沿的制程演进上或许更有优势。
但还是开头那句话，即使解决了光源问题，国产光刻机也仍然有很长的路要走。
甚至退一万步说，即使光刻机问题解决了，也不意味着我们就真的完全自主可控。不需要那么先进制程的YMTC，也仍然被其他关键设备卡了脖子。
道阻且长，任重道远。