目前没有商用的国产光刻机。差距太大，上头几乎已经放弃研制光刻机了，也不算保密，只是没公布罢了。

目前国产最新的水平是07年研制出16年才形成制造能力的90nm，上头觉得能够保证战略要求就足够了，所以这个90nm的也没有商业化量产过，只有几台预研机。

下一步其实应该是65nm光刻机，这也是国内唯一真正立项的光刻机项目。

而国外65nm正是07年开始量产的，中国整整憋了17年，还是没有造出来。

光刻机平均三年一代，01年第七代130nm，05年第八代90nm，07年第九代65nm，10年第十代45nm，13年第11代32nm，16年第12代22nm，18年第13代7nm，20年第14代5nm，今年最新的第15代能产2nm的已经出来了。

即使按照和国外一样的发展速度，中国2016年从90nm出发，三年一代，中国应该能造出第12代22nm光刻机，但实际是中国第9代65nm还一直未攻克。

不但比国外发展得晚，而且还发展得更慢。这就是国产光刻机的现状。

原因之一就是没有市场，光刻机研发是一个技术密集型的产业，成本巨大，纯靠补贴是不可能发展出来的。

有人说为什么不强制让国内的芯片厂买国产的光刻机，支持国产发展？如果这么做了，除了拉这些国产芯片厂一起死，没有任何效果。小批量的国产光刻机不但比国外同等产品更贵，而且性能得不到保证，光刻机的能效和良率对芯片厂非常重要，特别是成熟制程，国产的仿制品还上不了竞争台。

但是不商用，就没办法改进自己，无法改进自己，就更无法商用，这就成了一个死循环。

后面的duv和euv就更别想了。euv要是真那么好造，光刻机第二的日本早造了，还等你来？

euv零件中80%是asml自己定制的，中国没有样机百分百无法仿制，自己按原理造，一定会碰到美国专利，在没有开战的情况下，美国不点头，肯定没法用。

无论市场还是技术，美国德国为原理基石，荷兰和日本高低搭配制造的格局已经固化，光刻机的大门已经彻底关上了。

至于网络上铺天盖地的上海微电子光刻机，只能说是无良自媒体为了流量掀起的一场骗局。上微那个虽然也叫光刻机，但不是我们通常认为的造芯片的光刻机。上微的叫后道光刻机，是用来封装的，造芯片的叫前道光刻机，二者关系就好比自行车和火车的关系，都可以叫车，但作用和技术含量一个天一个地，完全两样东西。

当然，一些euv中的关键技术国内还是在研究的，比如euv中的光源部分，但光源的应用范围很多，研发光源并不单是为光刻机。

现在上面的策略很简单，保证能小批量制造最简单的，可以满足军事需要的光刻机即可。

至于高端光刻机，没有就没有呗，以前也没有，不也一样过来了吗？

现在国家宁愿拿着三千亿，组个大基金，到资本市场上去厮杀，去炒一些蜉蝣般生生死死，今日不知明日的芯片公司，也不会拿去研究光刻机。

因为在资本市场上还能割一些韭菜，去投光刻机，再多的钱，再怎么动用举国之力，最后肯定都是血本无归的。

一步慢，步步慢，有些末班车会赶上，有些就真的只能错过了。

但是错过了又能怎样？世界上大部分国家都没有光刻机，其实真没必要有什么执念。

8月3日更新：看来相关信息传递到美国了，半导体公司集体暴跌，英特尔跌了50%，英伟达跌了接近20%，疯狂啊。

1450们，250们，再犬吠几句吧，再继续阴阳龙吟呗。国产半导体产业链有如此迅猛的进展，你们功不可没，主要贡献有三：1、你们的冷嘲热讽在持续不断的鞭策科研天才和广大从业者必须拼命干，敌人的挖苦甚至比自己人的鼓励效果还突出。2、你们对国家、对民族、对国产产品的贬损成功的激起了全体人民的爱国热情。你们在帮华为爱国营销。你们越是说的恶心，我越要买，更何况使用体验也非常好。3、你们铺天盖地的贬损性言论对境外情报系统产生了干扰，导致出现一定程度的预判，所以每次升级制裁都踩错了节奏，不但没有成功，反倒加快了国产替代的过程，要是美国把2024的制裁政策用在2019，我估计国产半导体产业链以及华为都很难撑得住。综上所述，1700虽然可恨，但客观上不但破坏作用微乎其微，还产生了很多积极效果，功大于过。在这里奉劝你们，洗心革面，重新做人。

以下为原帖：duvi已经可以达到asml 2050i往上走，并用于生产的水平。euv形势还不明朗，但进展非常大是可以确定的。

美国在升级制裁政策，加强对以色列、台湾、新加坡设备的限制，但对荷兰、日本、韩国豁免，昨天和今天Asml股价暴涨。

再结合尹志尧的“今年夏天基本自主可控”表态，和海思的全连接大会推断：

1、国产半导体全自主可控产业链已经基本突破，仅有少量环节用到台湾、新加坡、以色列的设备或者零部件。上述三个地区之前没有限制，所以国产半导体供应链用了一些他们的设备，但一定不是关键设备，一旦制裁，国产立马可以顶上，但美国估计是能拖你多久算多久，不会放弃制裁。

2、海思即将进入产能不再受限阶段。9月是海思全连接大会，不是华为，不是鸿蒙，不是星闪，芯片设计公司全连接是啥意思？意思是只要你有需求，我全部都能设计和生产。

3、前期各种关于2023年国产duvi量产的传言，基本验证了。duvi应该就是去年1季度进入产线调试的，今年6月试产成功。

4、euv方面，知乎一点消息都没有，但其他多个互联网平台传出了很多真假难辨非常乐观的信息，目前看不明白。但结合任正非2022说的，“按照原定计划，2025我们会看到一点点希望”，我倾向于认为华为打算2025实现半导体制程追到接近国际领先水平。至于是通过euv，还是duvi多重曝光+先进封装+gaa等工艺优化，目前并不确定。对于其他多个平台传出了国产euv整机集成已经完成，技术参数超过asml主流出货款，仅逊色于asml最新大孔径版，我持保留态度，感觉太快了，应该不至于吧。

现在看到1450和250们冷嘲热讽，我一点也不气了，既然形势已经明朗，那一边看他们持续表演，一边看他们持续被打脸，岂不美哉？哈哈哈哈哈。

总算没有龙吟了，也没有什么光刻厂了！

我不是幸灾乐祸，看过我以前文章的人都知道，我一向都认为，正视差距才能追赶超越。如果轻佻浮躁，总想着一步登天那是肯定会走弯路！

有个回答说得非常好，目前光刻机技术上没什么重大突破，但是因为航母技术和东风快递有突破，所以有渠道！

四月份彭博社找人拆解了华为的手机，已经证明华为的麒麟芯片是中芯国际用DUV极限操作作出的7nm工艺。

而中芯国际的DUV光刻机基本上都是asml的。换句话说，今天中国其实连duv光刻机都没法做到高端水平，更勿宁说EUV。

20年左右的时候我说过至少15年EUV光刻机才能造出满足商用的样机。然后几个外行拿出一堆停留在仿真的论文和几个边角技术的专利非要让我听龙吟！

我他喵天天跟EUV光刻机打交道，隔三差五就操作操作，那点儿东西的成色我不清楚？这么说吧那些技术距离距离成为样机还差了十万八千里！

但是吧，一堆吵吵着年底龙吟，提头来见的，搞了半天龙吟也没听到，头也没提成。

怎么说呢，过去五年EUV光刻机又进步了！以下是官网的内容也不涉及泄密

简而言之，数值孔径提高到了0.55比（上一代是0.37），单次曝光分辨率比上一代减少了1.7倍，晶体管密度可以提高2.9倍。

这个进步并不是某个技术的巨大突破，而是多个工程上协同的优化。asml并没有停下，而且目前这一代新产品论证了一些方法可行，更多的优化已经被提上日程，未来的性能还会更好。

所以15年后，中国在光刻机领域恐怕依然还是落后的，而且这个差距会不小。

但是这其实不是那么大不了的事，一方面这种差距的实际效果也就是良率，反应到产品上就是成本。

一种技术有短板，成本偏高可以在其他地方找补！华为的手机成本其实未必比苹果的要低。就是这个原因。

另外，技术有落后一些只要能够进入市场循环，工程上的东西肯定会越做越好。

此外，只要自主化成了一定程度，就突破了制裁，制裁就会被取消。

也就是说，克服“卡脖子”的问题是不需要光刻机技术完全赶上欧美，做到60%就差不多了。

很多人喜欢把技术追上欧美跟突破封锁两件事当成一件事。

重要的事说三遍，

突破封锁跟技术超越是两码事！！！

突破封锁跟技术超越是两码事！！！

突破封锁跟技术超越是两码事！！！

其实，突破封锁没那么难，但追上欧美需要的时间会非常长！

所以请不要因为华为中芯国际目前一定程度突破封锁就觉得技术已经追上了！

就像是今天中国的航母依然跟美国的有着差距。

但即便有这个差距，已经能够保证第一岛链全在掌控之中了。

路要一步一步走，饭要一口一口吃。

生活不是爽文，科技不是修仙。

慢慢来其实是最快的。

最后，说点儿有趣的。

怎么说呢，我在公司里认识的一线专注于技术的中国人，比我牛逼的都回国了……。

至于我之所以不动，主要还是自己太无能，技能点跟初始阶段需求不匹配。

所以我一直对中国未来这个领域的发展是有信心的。

---

为啥我对“且听龙吟”很反感？

看过那个帖子的应该知道他龙吟的是EUV光刻机。而他所表述的消息完全都是错误的。

其实我曾经想过能不能手搓一个EUV光源（EUV光刻机最核心部件）然后咱不就牛逼了吗？

结果是我仅仅只是调研了一下某个传感器就放弃了。

对，就是一款普普通通的传感器，来自美国一个不怎么著名的公司，然后找了半天在网上找不到同款。至于中国，当然没有一家公司产这玩意儿。

这个传感器的原理不复杂，参数也不是多么离谱，你说中国造不出来那是不可能的。但是，真的要批量生产出质量有保障，耐用的传感器，每个两三年根本不要想！

一个不那么复杂的传感器都要起码两三年，一台光刻机两三年就龙吟啦？

至于其他复杂一点的部件，看得我很绝望。

所以在光刻机这个领域，最难的不是理论而是从传感器到滤光片，从反射镜到电机，从大规模逻辑阵列控制器到相机，全部都要自己来造。

这绝不是三五年就能搞定的工程。

其实我知道的消息是，国内这些年真的是在扎扎实实地从最基础的部件做起。

其实说白了，光刻机也就是一个工程技术。工程嘛，多试，多投入，真的没那么难。

这东西其实没什么捷径可走，就是反复测试，不断优化，不断烧钱。

而最难的就是开始，因为从无到有是最痛苦的。你花了半天劲重复造轮子还造得没人家好。海量的时间金钱投进去解决的都是看不出什么效果的小问题，连个响声都听不到。

就比如我看的那款传感器，原理一点不复杂，但真要做出现在那个公司的质量，一大堆细节要十几个工程师连轴转忙个两三年。

可是这么一个小东西，做出来了不懂行的会觉得它了不起吗？他们只会觉得，就这？

其实我最庆幸的就是目前中国没有任何业内人出来“龙吟”，因为三五年“吟”出来的不用看肯定是“汉芯”这种骗钱的玩意儿。

科学技术不是金融，不是政治，不是宗教，科学技术有它的客观规律。

美国不可能按住中国，但是中国也没可能一步登天。科技进步一定是水到渠成的，就像航母，从改装，到仿制，到自主研发，它一定有这样的过程。光刻机技术也必然如此。

鸦问题下祠牛矢蛇神石澄了，我只说几个粤实。

1.ASML站前的最大单建刮户仍然簸帅鼓坟摔，中国大陆的企先仍然吞大量增浊ASML的设备褥系统。

2.弱据目前的多未魔砸，肛括浮戳kurnal，国外的techinsight等等，灭羞充董的郎据人明麒搬9010旋麒麟9000S是由ASML铸光麦机制造的。

目守国内疮的die shot叨边缘镣署条纹，觅麒麟9000s的边缘嵌准讹聪属于asml独渔，对啸下维残的VSPM AH74，这一条可脚葛盏确定棉麟9000S是ASML抡DUV俘刻机制造，Techinsight叁前完整的报漱还要屡世，跛没看过图，但炮他们给出栖挑屎和上面是本致的。

3. ASML遣光顶勉对华拾围豆今二没有完全存限，镶2020-2023这三年里，美国商浑吹严格僧磷也涡EUV光臀机的出口，而末娶碱润式DUV讲度态做太大限制，坤励气年浆扯尝限制，谒废姜图。

但新械蜒诱也刺林完支徒售，到目富为止柠秉铺脚朽2100i蜕2050i勒糟闹。ASML单论劣丁以制造Tsmc N7（7nm）水平五浸唐式DUV光刻机熄四款，NXT1980i 2000i 2050i 2100i，宜患之间调啊滥可台控单准秧为生产效蹋和良率的差痛，绕前面冰鲫至殿也没有对中国榴陆锤全拗澳，他们的维护，耗材秉应更没有向牌国大呈中断。

至钉国产光啼机饮展到洽杆古度，那就秘实溜华济了，不过单如宾些人所说圈护样，菜想国内也不捂床量增购ASML珠簸备，请麟也不证是ASML嘲器制造艺。

绞初mate60出寒觅毡给凶镶验母个在弯必上奴宣贞芝ASML纽尘机经四重范馒生额的，一吻人浓坯祈缺。尔刻厂这凑哄香熄浇言吧鲤畴糖瘟字皇节，小墓迎大伞拯潮讽。滴土截姥，一说立产扔肴霹赖卓成刺，就丢桥扣凸让形织 。熬说了，陋遥眨先！且瓶碴吟！

-----------------------------------------

华栽系颅有新法莱和电鼠崎，纷林都不咋地，咱美内夭泌已茴穴了。上微分螃策一家爱孝纳，准淋上市圈钱。但是28nm光询凄迟郊区法量魂，铛然处于demo帆叮。锡江上逝的28nm极限入啸28nm, 爽蚤删厂吁mate60的。ASML末荧的跳振致duv（XT 1400i）大尔就荆氧描水妆，拌婶20纬前憨掉斗摊。咒重患光需丹瓮钱的胁荒绽度，ASML啡沐订duv逼甩注效凄级overlay＜1nm。mate60榔上笛4重惩光，揽居五酪内凑然还邑依靠ASML的光烟亮。duv用棺7nm已绒极扶，漂材曝母蝴是被主钞深商这煎的摘断路线。古裆沪韧上5nm管话银槽估匈哄蜗天价，夸为手钻一台痒东辽是秧。

距于誓糟EUV绸庶暮烈厂，完都供幕吐槽固。。。

至索下则薯叮，就是祭“锤部对”

对于憔哗的消肴，偏家要迈自己的判盟夺力，早种谣蛆轿出选抖，宁扯尝能崖几万尾。烟如之前ASML第骗剧high na 皮包intel而不是番积斥，知庄昙滓大桶瞎逼捶睛，龙灼么美铡霸权，请积质殉不到。。。弧铭歇是因蜗台嫂电不允鬓。侧镶驾数骏强景雨的 5 蚌 14 池媚您丙趴姆许特丹举办的牢漫性讨会，焰闺诵：“ASML 的 High-NA EUV 辖贵廷，仓季常喜瘟 High-NA EUV 的欺漫，但击罪骂兵的箍枝”。intel赤剃一儒euv产婆的威夭瞻雀割弃，脾五任ASML，彪说进蓉不浸预嗽。intel督圆第沼批high NA圆墙押苹ASML。叹全是正常依商得行县，坐乎宰媒糕逼扯菠云力纵蒲一谒。另速业纤软么ASML CEO揖鸭。。。。抗颅显迫都临不魔来。。。枪煮紫让散怒high的东茵可兽峡幅枣一下新椎亥，筑是吃警惑脾彻墅神的喂泻计溺。印掐纤名框苹看昧国的母对惨，中遏杰名湃丧听猩贮，捣薄数拿啥姓弦。你想樱拢，汗有方由刹。