单论光刻机的话落后两代。国产duvi现在刚刚能量产，euv原型机明年能搓出来27年量产，highNA的euv得30年，总体上在5年的差距。
其他回答着重于强调制成问题，其实和光刻机关系不那么大。现在9000s和9010已经很明确是采用n+2（7nm）做的，晶体管密度98。光刻机确定是1980i或2000i的ASML的duvi（有明显对准标记）。未来3年内先进制成主要就靠duvi多重曝光了，良率问题其实不用担心，至少我能看到的良率是满足量产需求的，而且良率会随着时间继续增加。
至于迭代，duvi多重曝光可以做到n3（24mp)但成本比euv高。但是在n5(32mp)duv成本其实是能和euv打平的（耗电量，产线价格euv都是duv的几倍），现在有国产duvi了甚至能在n5上比euv低。
至于现在可能影响制成的主要是离子注入，而不是光刻机，光刻机难度最大，但现在基本解决了，离子注入设备公开最先进的只有28nm。