不知道从什么时候开始，一提及芯片必是光刻机，一提及光刻机必是光源。然而光源系统并不是ASML垄断的市场，竞争对手Nikon照样可以买Cymer/Gigaphoton的光源，为什么Nikon的设备还被边缘化了呢？
就拿3400来说，那几个重要参数里，也就只有光源分辨率、光源功率和有关，剩下都是和量测、精密、机电相关的feature。
3400B
3400C
直接关系到WPH的是机台的设计和速度，以及sensor速度，不少人认为当年ASML是靠Immersion获胜，实际上早在Immersion之前，750凭借着Twinscan就已经开始从Nikon手里攻城略地了。Twinscan不止是两个wafer stage而已，配套sensor平均每秒扫描上万次，wafer stage工作时加速度经常要达到5g（5倍重力加速度）以上。同时，Twinscan也还在不断改进，远的不讲还是说3400，3400B只有125WPH（20mJ/cm2），紧接着3400C就直接拉到了170WPH（20mJ/cm2）。
直接关系到光刻机CDU的是镜片uniformity，如果光源经过mask到镜片pattern就已经扭曲了，刻到wafer上也是一大片defect。
直接关系到光刻机overlay的是量测、机电的精度，如下图wafer map，重复打点的误差越小，套刻良率才会越高。荷兰出口管制中出现了DCO的要求，DCO更小的2000i就被限制了。量测系统和机电系统的精度上不去，上了EUV也是浪费。而上一段又提到过，必须尽可能提高速度才能保证产能，而精度又必须达到pm级，这就是典型的既要又要，速度精度缺一不可。
还有一个不言而喻稳定性要求。在Fab里，工程师换班但机台是7*24，如此高速度高精度的机台，如何保证持续工作的稳定性就是关键。不可能有哪个Fab会隔三差五陪你停线修机器，这么修下去造芯片就要倒贴钱了。
而这些问题都是换光源也绕不过去的
镜片，先不谈蔡司提高NA的设计，单说给3400做的那几块镜片，就是蔡司专门用Ion Beam抛光出来的。
量测，EUV精度需要pm级高速sensor。精密机电，包括Twinscan在内的精密部件，国内也不是没有仿过，说起来原理简单，但是照葫芦画瓢的却总不是那么回事，我也看过一些国内仿制的Prototype，其一，依然不是严格意义上的自主，还是不可避免要用国外的零部件和设备。其二，在快、稳、准之间就如同形成了一个不可能三角，三者不可兼得，甚至很多指标是三者均达不到应有水准，正所谓差之毫厘失之千里，各个部件整合在一起根本达不到EUV机台所需的精度。
说句不中听的，不和ASML的EUV机台比，退两步和Nikon的DUV机台比都还有不小差距。事实胜于雄辩，就在5月底，ASML还在国内中标了4台248nm的KrF，EUV造不了、ArFi造不了、ArF造不了都不提了，然而现状是赢学家一顿吹下来，波长248nm的KrF都还在买ASML，难道是看ASML可怜赏他一口饭吃吗？
至此，也就回答了最开头的问题，半导体不只是光刻机，光刻机也不只是光源，光源也不只是ASML垄断市场唯一因素。
哪怕搬到外太空用恒星做光源，光刻也要对准、量测、扫描，而这些所需的部件ASML那边就连美日荷加起来都没办法提供整套解决方案，一部分组件还要从德国、英国、某岛买。不仅是这些看得到的精密相关，看不到的各个部分的控制系统、以及越来越重要的计算光刻，这些同样是ASML的护城河。而今，人家连机台都出口管制，更不必谈零部件、代码、数据库这些了。mask、reticle stage/chuck、wafer handler/stage/table/clamp、grating、sensor，以及配套软硬件全都去自研吗？美日荷才捆起来都不如你一家自研，你这个光刻机是不是亩产万斤的那种？
说到自研，我倒挺想问一句，哪篇论文承诺过该项目不包含欧美日韩的技术和零部件？能不能评论区发我看看？人家卖给高校科研用不代表以后就会支持量产，而且合作方还是德国，美国现在可以说服荷兰，将来就不能说服德国了？
不仅要谈技术，更要谈生产效益。就算有这个SSMB，但没有高精度机台和量测，最终还是去卷本就不赚钱的成熟制程。关键光源在起跑线上成本已经高了一大截，如果机台再拖后腿，必然是造一片亏一片。另一位答主已经提及过这个问题：
别人光刻机维保support分批次即可，而这边维保support只要涉及光源，那么多条线上的光刻全都要停，线上配套的蚀刻沉积也会巧妇难为无米之炊，动辄就down所带来的巨大生产波动，完全不利于成本控制。
此外还有一个不得不提的意外风险问题。总有人喜欢玩梗说Fab地震火灾洪水涨价，那我们就来做一个简单的概率题：当遇到地震火灾洪水时，假设LPP光刻机占地面积区域内保全的概率是a (0<a<1)，那么这个占地面积100倍于LPP光刻机的SSMB保全概率只有a^100。更关键的是，别人产线上的光刻机类似于一个分布式网络，down一台只是相应削减了一台的产能，而这个中心化的光源一旦遇上地震火灾洪水，所有光刻机全都失去光源了。
如此高的生产成本、如此低的robust，就算猴年马月真造出EUV精度匹配的机台和量测，哪家Fabless买得起这么昂贵又高风险的代工服务？“产业升级”到最后反而是给别人倒贴钱，这就太离谱了。
半导体发展的首要难点从来都不是技术，而是成本。实验室里永远有令人叹为观止的新技术，但遇到的问题无一例外都是成本降不下来无法商业化。我一直都讲，芯片是拿出来卖钱的，不是拿出来炫技的。DRAM和NAND就是个很现实的例子，市场价格不好的时候，出货报价一平均每颗也就赚个几毛钱利润，Fab良率稍微有点差距，这几毛钱的利润就化为泡影会变成亏损。一旦竞争对手摸清你的成本劣势，卡住价格线就能轻松把你挤出市场。
更何况这玩意作为光源本身还八字没一撇。把一套理论形成为一个部件，再基于一个部件集成为一套设备，再将这一套设备形成一款量产产品，这是一个十分漫长的过程，而且每一步都会有很大概率被其他赛道上的选手淘汰出局。找一篇论文和无关的照片，然后脑补演绎一番就能赢，属实是有点魔怔了。真要照这个赢法我也能如法炮制一个：去年微电子所的CFET就过仿真了，反观TSMC，连上一代的nanosheet都要等到2025。易研丁真：鉴定为赢。
回到话题本身
现在如果告诉我说这是探索EUV的另一条路径，那么我认为每个人都应该支持，探索科学在哪都不是一件坏事。
现在如果告诉我说这能做EUVL光源，一个连Prototype都没有东西，未免有点扯得太远了。
现在如果告诉我说个纯自主EUVL能投产，不是针对谁，有一个算一个都是炒作骗钱骗流量的。
果不其然，评论区赢学家又来了，Twinscan那段我写的已经很清楚了，不看完就直奔评论去真的很不礼貌。你们与其来劝我赢，不如赶紧去劝GTA把ASML那4台248nm的KrF退了。
ps，别拿国内某些上市公司拉股价忽悠股民的伎俩来找我对证，鉴股排雷另请高明。国内上市公司的宣传，你说是那就是，我不置评。