对于我国目前不造光刻机了，造光刻厂，大家怎么看?

重新看了一遍b站上赵午教授和清华ssmb项目组潘志龙的报告，忽然想明白了，这个技术如果验证成功，那对阿斯麦的euv技术路线是降维打击。我们最关注的euv光源的功率问题，阿斯麦目前大约是250w，即将量产的高纳新一代光刻机大约是800w，2032年左右将推出的下一代是1200w左右，清华ssmb euv调制出来的euv光源是大于1kw，看起来相比阿斯麦新一代和下一代没什么大的区别，但是，关键在于，阿斯麦的euv光源是通过轰击锡液滴得到的，杂质多，所以需要经过11面反射镜才能得到较为纯净的euv光，而最终投射到wafer晶圆上面的光功率只有不到5w，这个功率才是最重要的指标，可见阿斯麦的技术路线光源转化效率很低，只有不到2%，而清华这个euv光虽然只有1kw，但是纯净度很高，该项目的指标是要减少到3个反射镜，由于每次反射会降低30%的光功率，因此，经过3次反射后，投射到晶圆上的euv光功率是340w左右，是阿斯麦新一代高纳euv光功率的20多倍，是其下一代euv的10多倍，而根据赵午教授的报告，清华ssmb euv项目的指标是要把最终投射到晶圆上的euv光功率提高到1kw，将光刻机的价格从阿斯麦的1.6亿美元降到1千万美元，所以如果该技术路线能够成功，对阿斯麦将会是降维打击，当然光刻机还有反射镜和双工件台等部件，也需要继续完善。