光刻厂，本来就是意料之外的副产品。
2017 年，清华组建了一个研究团队，当时定的研究方向是世界物理领域都在追寻的“粒子稳态微聚束”，英文缩写 SSMB。
为了 SSMB 研究，需要先搞一个工具，那就是加速器光源。
这是高能物理探索领域的工具突破，一开始的设计是为了更好的探索粒子肽的相关特性。
关于该工具原理的相关论文，于 2021年在自然杂志发表。
2023 年 6 月 30 日，荷兰政府通过 asml 部分先进光刻机对华销售禁令，于 9 月 1 日生效。
上述国内高能物理科研项目团队发现，他们已经研究定型的稳态微聚束技术，实际上是可以提供光刻机所需要的各个级别的光源。
我们突破类似于 asml 这种世界顶级光刻机的难点，就在于我们没办法在一个短小的空间内保证激光投射的精度和强度。
asml 为此注册了很多专利，甚至垄断了世界上高精镜面的货源。这也是为何 asml 的 CEO 曾狂妄宣称：“即使把图纸给了中国人，他们都造不出我们一样的光刻机。”
中国的光刻机现在有三条道路，在同时期推进。除了海微电子和长春光机所以外，上述清华团队的方案从提出到落地可能是最快的。
原因很简单。
该方案的核心是单独建一个光源提供器，然后其他光刻芯片的技术可以集成在一个大型工具内，由光源发生器向这个工具提供需要的精度的光源，进而达到大规模生产芯片的目的。
而这个光源提供器，就是在稳态微聚束技术基础上搞出来的。由于SSMB也就是稳态微聚束的工作原理，是利用一定波长的激光操控位于储存环MLS内的电子束，使电子束绕环一整圈后形成精细的微结构，也即微聚束。然后，微聚束在激光波长及其高次谐波上辐射出高强度的窄带宽相干光。
用大白话讲，让激光操控电子束在一个环路内跑圈，电子束跑在不同的部位有不同的速度，同样会影响激光出现不同的光谱和光波长度。我们只要测量在每一个点上激光光谱的长度就可以找到，我们需要生产芯片时所需的激光纳米波长。
5nm及以下的芯片必须极紫外光的EUV光刻机才能完成。现在利用 SSMB技术，可以通过稳态微聚束的电子流来激发窄带宽相关光。这个光源的波长可覆盖从太赫兹到极紫外EUV波段。
后面的事情就极其简单，只要在这个点上开个口，把相关波长的激光引出来并导入光刻机剩余的部件中，完成芯片的生产就可以了。
打个比方，把从1-100nm的光源当做各种大小不同的球体，然后通过分拣设备，把这些不同大小的球分门别类，让他们统一到相应大小的一个篮子里，直径1nm的球去1nm篮子，直径3nm的去3nm篮子，直径5nm的去5nm篮子，以此类推到直径100nm时就去那个属于100nm的篮子里。而这些篮子就是所谓的接入各种光源的芯片生产线，不同光源接入不同的芯片生产车间，达到一次批量生产多种不同纳米工艺制程的芯片。
目前 asml 采用的是高能脉冲激光轰击液态锡靶，形成等离子体然后产生波长13.5纳米的EUV光源，功率约250瓦。而随着芯片工艺节点的不断缩小，预计对EUV光源功率的要求将不断提升，达到千瓦量级。
SSMB光源的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源。它们产生的类似激光的辐射也超出了“光 ”的可见光谱，例如在EUV范围内，最后阶段，SSMB光源可以提供一种新的辐射特性。脉冲是强烈的、集中的和窄带的。可以说，它们结合了同步辐射光的优势和FEL脉冲的优势。
可以说，基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，并具备向更短波长扩展的潜力，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。
很多媒体总结出一个词就叫“大力砖飞”，因为这一套理论实际上解决的是粒子形态探测问题，而相关的辐射物反而成为光刻机所需要的光源。我们并没有像 asml 一样在螺蛳壳里做道场，反而开拓了思路，利用一个庞大的光源发生器，提供稳定态的激光来达到相应的生产目的。
根据多方信息显示，SSMB研究组已向国家发改委提交“稳态微聚束极紫外光源研究装置”的项目建议书，申报“十四五”国家重大科技基础设施。
2023年3月21日，该设备建设选址，已落户雄安新区。
建成后，中国高端芯片产业将不再有光刻机，只有光刻厂，或者更确切讲是光刻产业园。