抖音门槛太低，属实解释不清了，一群犟种，几nm工艺说的是啥都分不清，我相信知乎还是有大佬的，还是有门槛的。欢迎各个领域一起讨论互相学习，不接受犟种。中间废话太多可以直接看最后一段
清华搞的这个加速器(光学领域不太了解)假设它可以产生满足EUV光刻机需要的光源，而且其余透镜组 机械臂 涂胶机台等均已经国产化，那就按他说的，在一二百米周长的圆圈上分离出合适光源，那一个圆上不同的位置，光源也不一样能量波长嘛的，就按最好的情况，A点分离出13nm光源，用作EUV；B点分离出几百nm光源用作DUV/I Line，那这一个圈最多六台光刻机。工艺的一步photo解决了！(可喜可贺有了突破），后面的制程呢，蚀刻用什么设备？锛凿斧锯吗？北方华创好像还不支持先进制程的设备吧。假设设备问题都解决了，可以盖fab了，那问题来了，fab肯定要围绕这个圈去盖，5nm了，洁净室等级肯定不能低了，其他的机台怎么摆放？需要以加速器为中心去盖fab，假设十几二十个加速器放在一块盖成一个fab，四五十台光刻机，满载时每月10w＋片，看上去很成功，但是单独那个圆圈占地大概需要96亩地，再算上其他配套的机台呢？再算上工程师办公区呢？土地问题解决了，那每月的用电量呢？需要的工人呢？假设这都不是问题，工艺中是有Qtime的，不同的layer需要的光刻机器不一样，这么大的面积，时间怎么卡控？引入智能系统大数据计算分析，天车不间断运行保住了时间，那么我们的芯片就可以流片了，国产EUV光刻机正式投入量产 。那我们来算一下，从那个圈的蓝图开始，到建成调试出合适的光源需要几年，fab搭建到环境合适需要几年？工人从第一片wafer下线到能够量产需要多久？量产到良率达标需要多久？一切都做好了，某些大厂1nm估计都成熟制程了。。。
总结下，实验室鼓捣鼓捣可以，扯扯淡还是好的，实际搞起来难度很大，不能有一个光源方案就觉得万事大吉了。工业制造业道阻且长，允许弯道超车，也别忘了理论结合实际，也希望有一天五星红旗会盖过星条旗，努力为半导体事业添砖加瓦
