一片14 纳米n+2工艺芯片换一片台积电3nm芯片，这对于整个国外芯片产业链来说打击巨大。
中国现在就差几年的过渡期，产线国产率今年新增估计能超过40%。个人预估25年是一个重要节点，即实现14nm工艺基本国产化并使用国产光刻机做到真正的7nm工艺=台积电5nm=英特尔4
英特尔4虽然引入euv光刻机，但关键层依然使用SAQP（四重曝光技术)，表明了用duv光刻机是能达到台积电5nm水平。
英特尔前几年落后台积电和技术路线选择有关，台积电在伪7nm工艺时期就快速拥抱euv光刻技术，据说是有两班人马交替研发工艺次代，有可能是当时的1980i精度有限做不到SAQP就直接转euv了，而英特尔硬是想用duv光刻机结果一条路走到黑，时间表数年一拖再拖但就是没有跳，到了2023年才开始逐步引入euv技术，再之后的时间表就非常激进了，想要一口气追上台积电。
其实解决SAQP工艺很大程度要靠asml发力，多次曝光非常考验光刻机的套刻精度，直到2050甚至2100系列的duv光刻机出来之后SAQP工艺才能真正量产出来。
而国产双工件台精度按最新的公开进展已经在大代际上达到asml的2000系列水平，再迭代一次就能追上先进水平，按这进度25年赶上没问题，即在25年左右实现台积电5nm水平。
当整个产业链国产化后成本会下降许多会抵消一部分低良率成本，最重要的还是整个产线从零做出来了就可以开始迭代，所以我认为25年左右将是芯片大战的决胜年，之后的euv光刻机会像氢弹一样按步就班直追世界水平。
一切的前提还是靠美国制裁让出市场，要不然芯片制造这种夕阳行业真的难有投入，以前台积电的先进制程华为是最上心的，现在就靠一个苹果支撑，而且价还不好谈。今年英伟达还给台积电续一波，要不然全球经济下行而中国又有千万级存量市场的消失，先进产能更难有投入。