7nm芯片的制造有三大难点
难点一，是芯片设计。
这一方面华为很早就突破了，但最近美国把设计芯片的软件给华为禁了。所以此次突破到底是华为自研了设计软件还是破解了设计软件，不得而知。
我本人更倾向于破解了芯片设计软件（猜的）。不过能破解美国应该也没什么好办法。
难点二，是制造芯片
7nm芯片可以用DUV也可以用EUV，DUV需要多次曝光所以良率一直是一个大问题。拆解了华为手机以后，专家猜测中芯在制裁上良率已经达到80%，超过了Intel和三星，比台积电的95%略有不足。至于euv，中国目前没有此类设备。
第三点，是光刻机
在制造芯片的仪器（光刻机）上，中国尚未有突破。中芯依然需要asml的浸润式光刻机以及售后技术支持才能造7nm芯片。
所以，以美国政府目前的特点，估计会进一步给荷兰政府施压，进而禁止ASML把浸润式光刻机出口给中国。
不过荷兰政府应该不蠢，它们目前评估浸润式DUV光刻机这种二三十年前的技术不太可能卡住中国。现在不赚这个钱，过几年真的可能一分钱都赚不到。所以应该会继续扯皮。
总之，芯片设计这一块儿完全找到了突破办法，芯片制造这一块儿，制程工艺取得了突破。而光刻机，还没有好消息，目前没有看出来中国自产的光刻机能够取代asml浸润式duv。
仅仅三年，三点突破两点已经是二战以来的奇迹了。
至于第三点，还是那句话，肯定能掌握，仍然需要时间。
因为光刻机这东西有点儿像发动机，精密机床，盾构机，大系统需要更多时间。历来经验，从被卡脖子到突破都要十年以上。
发布于 2023-09-06 02:19・IP 属地美国