现在大陆中芯国际的最先进制程已经快到深紫外浸润式光刻机的5纳米极限了（N＋3就是5纳米）。
再想突破，要么突破极紫外光刻机，要么换道，从晶体管结构和芯片材料上升级，还可以通过纳米压印技术辅助制作5纳米。
很想看到中芯国际的7纳米甚至14纳米芯片吊打台积电，英特尔的2纳米硅芯片。
什么？不可能？如果前者的材料使用石墨烯，不用硅呢？
现在大陆中芯国际的最先进制程已经快到深紫外浸润式光刻机的5纳米极限了（N＋3就是5纳米）。
再想突破，要么突破极紫外光刻机，要么换道，从晶体管结构和芯片材料上升级，还可以通过纳米压印技术辅助制作5纳米。
很想看到中芯国际的7纳米甚至14纳米芯片吊打台积电，英特尔的2纳米硅芯片。
什么？不可能？如果前者的材料使用石墨烯，不用硅呢？